Browsing by Author "Chabane, L."

Filter results by typing the first few letters
Now showing 1 - 2 of 2
  • Thumbnail Image
    Item
    CARACTÉRISATIONS OPTIQUES ET OPTO-ÉLECTRONIQUES DE COUCHES MINCES DE SILICIUM AMORPHE HYDROGÉNÉ
    (University of Eloued جامعة الوادي, 2018-02-05) Tata, S.; Laidoudi, L.; Cherfi1, R.; Chabane, L.; Rahal, A.
    Notre travail rentre dans le cadre des caractérisations optiques et opto-électroniques des couches minces à base de silicium amorphe hydrogéné (a-Si:H). Les couches ont été déposées à une température de porte substrat égale à 300 °C, par pulvérisation DC assistée d’un magnétron, sur plusieurs types de substrats compatibles avec les techniques de caractérisations utilisées. La spectrophotométrie UV-visible-IR a permis de déterminer l’épaisseur des couches, leur gap optique ainsi que leur indice de réfraction statique. Les jonctions Schottky (Au/a-Si :H) ont été caractérisées par la technique surface Photo-Voltage (SPV), qui permet d’estimer la longueur de diffusion des porteurs minoritaires, paramètre clé pour des applications photovoltaïques. Les résultats obtenus ont montré que les films élaborés sont photoconductreurs, et que les paramètres obtenus sont du même ordre que ceux rencontrés dans la littérature
  • No Thumbnail Available
    Item
    MISE EN EVIDENCE DE DEFAUTS ACTIFS LUMINESCENTS DANS LE ZnO PAR PHOTOLUMINESCENCE ET TSC
    (University of Eloued جامعة الوادي, 2018-02-05) Chabane, L.; Zebbar, N.; Zaaboub, Z.; Tata, S.; Kechouane, M.
    In this work, we have, experimentally, investigated the luminescence defect in ZnO thin film deposited onto crystalline Si substrate. The studied film was deposited by DC reactive sputtering technique, under (Ar + O2) plasma at 373 K, durig 1 hour and annealed at 573 K during 1 hour. The UV-Visible transmittance and ellipsometrie characterisations revealed that the optical energy band gap and the film thickness are respectively, around to 3.35 eV and 50 nm. The photoluminescence spectrum measured at room temperature indicates that the deposited film presente a UV luminescence peak at 384 nm (3.21 eV). The current-potentialtemperature and the stimulated current measurements indicate the presence of a shallow level with activation energy around to 0.35 eV, attributed to the interstial zinc or oxygen vacancies.