CARACTÉRISATIONS OPTIQUES ET OPTO-ÉLECTRONIQUES DE COUCHES MINCES DE SILICIUM AMORPHE HYDROGÉNÉ

Abstract

Notre travail rentre dans le cadre des caractérisations optiques et opto-électroniques des couches minces à base de silicium amorphe hydrogéné (a-Si:H). Les couches ont été déposées à une température de porte substrat égale à 300 °C, par pulvérisation DC assistée d’un magnétron, sur plusieurs types de substrats compatibles avec les techniques de caractérisations utilisées. La spectrophotométrie UV-visible-IR a permis de déterminer l’épaisseur des couches, leur gap optique ainsi que leur indice de réfraction statique. Les jonctions Schottky (Au/a-Si :H) ont été caractérisées par la technique surface Photo-Voltage (SPV), qui permet d’estimer la longueur de diffusion des porteurs minoritaires, paramètre clé pour des applications photovoltaïques. Les résultats obtenus ont montré que les films élaborés sont photoconductreurs, et que les paramètres obtenus sont du même ordre que ceux rencontrés dans la littérature