Etude et Simulation d’un transistor MESFET en GaAs.

Abstract

Durant cette dernière décennie, Les nitrures d’éléments III tels que le GaN, l’InN, l’AIN et BN, sont entrain de connaitre un essor considérable. L’intérêt croissant pour la construction des dispositifs électroniques à Semi-conducteur pour les applications dans les domaines de la micro, de la nano et de l’optoélectronique. Ce travail a pour but de simuler numériquement l’influence des paramètres technologiques tel que longueur de grille, épaisseur et dopage du canal et l’effet des pièges accepteurs et donneurs présent dans le substrat sur les caractéristiques courant-tension en utilisant le simulateur Atlas Silvaco, Technical Computer Aided Design (TCAD). Les résultats ainsi obtenus sont en bon accord avec les résultats existant.During the last decade, the nitrides of elements III such as GaN, InN, AIN and BN, are experiencing a considerable boom. The growing interest in the construction of semiconductor electronic devices for applications in the fields of micro, nano and optoelectronics. This work aims to simulate numerically the influence of technological parameters such as gate length, thickness and channel doping and the effect of donor and acceptor traps in the substrate on the current-voltage characteristics using Silvaco Atlas simulator, Technical Computer Aided Design (TCAD). Thus the results obtained are in good agreement with the existing results