Effet de l'épaisseur de la couche absorbante sur une cellule solaire InGaP/GaAs

Abstract

For more than a decade, the use of renewable energies and in particular photovoltaic solar is becoming stronger. III-V thematerials are intensely studied for optoelectronic applications. In particular, they are widely studied for photovoltaic applications due to its wide spectral coverage, good electrical characteristics and resistance to high power. In this work, we have studied the InGaP/GaAs-based cell by numerical simulation using the Silvaco / Atlas software. Therefore, the effect of the absorber layer thickness on the electrical parameters of the solar cell, namely the short-circuit current (Icc), the open-circuit voltage (Vco), the fill factor FF and the efficiency conversion (ɳ) has been analyzed. The obtained results have been shown that the thickness of the layer (tGaAs) strongly influences the efficiency of the cell. Therefore, the smaller the thickness of this layer, the lower the conversion efficiency. منذ أكثر من عقد ،تم إستخدام الطاقات المتجددة وعلى وجه الخصوص الطاقة الشمسية دراسة مكثفة من أجل III-V التي تزداد بقوة وبصفة خاصة وقد تمت دراسة مواد العمود الثالث التطبيقات الإلكتروبصرية . كما تمت دراستها على نطاق واسع للتطبيقات الكهروضوئية بفضل تغطيتها الطيفية الواسعة وخصائصها الكهربائية الجيدة ومقاومتها القوية لطاقات العالية .في إطار /Silvaco بمساعدة البرنامج المحاكي رقميا InGaP / GaAs هذا العمل ،قمنا بدراسة خلية بالإضافة إلى ذلك ،تمت دراسة تأثير سمك طبقة الإمتصاص على الخواص الكهربائية .Atlas FF عامل الشكل ، (Vco) جهد الدارة المفتوحة ، (Icc) للخلية وهي تيار الدارة القصير تؤثر و بقوة على (tGaAs) حيث تظهر نتائج المحاكاة أن سمك الطبقة . (ɳ) ومردودية التحويل كفاءة الخلية. حيث كلما نقص سمك هذا الأخيرة نقصت مردودية التحويل. الخلايا الشمسية ، طبقة الإمتصاص ، كفاءة ، III-V