Effet de la température sur le transistor DM GaN MESFET submicronique

Abstract

Résumé: Dans cette étude, un modèle analytique dépendant de la température du transistor submicronique à grille double matériau adapté pour les applications de haute puissance est décrit. Le modèle prend en compte l'effet de la température sur les différents paramètres du dispositif afin de développer un modèle compacte du courant-tension du dispositif dans diverses conditions de haute température (300K-500K). Le modèle est en suite étendue à évaluer la dépendance en température de la transconductance et la conductance de sortie. Les résultats obtenus ont été vérifiés par son bon accord avec ceux des simulations numériques en 2D.الملخص: في هذه الدراسة نموذج تحليلي يعتمد على درجة حرارة الترانزستور بوابة المواد المزدوجة الفرعية مناسبة لتطبيقات الطاقة العالية يصف. يأخذ النموذج في الاعتبار تأثير درجة الحرارة على المعلمات المختلفة لـ من أجل تطوير نموذج مضغوط للجهد الحالي للجهاز في مختلف ظروف درجات الحرارة العالية (300 كلفن - 500 كلفن). ثم يتم تمديد النموذج إلى تقييم الاعتماد على درجة حرارة الموصلية التحويلية وموصلية الخرج. ال تم التحقق من النتائج التي تم الحصول عليها من خلال توافقها الجيد مع تلك الخاصة بالمحاكاة العددية في 2 د.