Etude et simulation d’une diode schottky à base de GaN

Abstract

Durant cette dernière décennie, Les nitrures d’éléments III tels que le GaN, l’InN, l’AIN et BN, sont entrain de connaitre un essor considérable. L’intérêt croissant pour la construction des dispositifs électroniques à Semi-conducteur pour les applications dans les domaines de la micro, de la nano et de l’optoélectronique. Ce travail se rapporte sur l’étude des structures diode Schottky à base de nitrures de galium, le structure Au/Ni/GaN simulées par Atlas-Silvaco-Tcad , pour déterminer des paramètres électriques en utilisant les différentes méthodes (V-I , Cheung ,Norde, Bohlin ) calculées pour différentes températures comprises entre 120K et 400KDuring the last decade, the nitrides of elements III such as GaN, InN, AIN and BN, are experiencing a considerable boom. The growing interest in the construction of semiconductor electronic devices for applications in the fields of micro, nano and optoelectronics. This work relates to the study of Schottky diode structure based on gallium nitrides, the Au/Ni/GaN structure simulated by Atlas- Silvaco-Tcad, to determine electrical parameters using the different methods (VI, Cheung, Norde, Bohlin) calculated for different temperatures between 120K and 400K