Etude et Simulation d’une Photodiode a bas de GaN

Abstract

Durant cette dernière décennie, Les nitrures d’éléments III tels que le GaN, l’InN, l’AIN et BN, sont entrain de connaitre un essor considérable. L’intérêt croissant pour la construction des dispositifs électroniques à Semi-conducteur pour les applications dans les domaines de la micro, de la nano et de l’optoélectronique. Ce travail se rapporte sur l’étude des structures les photodiodes PIN à base de nitrures de galium, le structure Au/Ni/AlGaN / GaN sCe travail est une simulation basée sur le logiciel SILVACO Atlas pour obtenir .les caractéristiques électriques et optiques de la photodiode jonction à savoir la caractéristique couranttension (I-V)During the last decade, nitrides of III elements such as GaN, InN, AIN and BN, are experiencing a considerable boom. The growing interest in the construction of semiconductor electronic devices for applications in the fields of micro, nano and optoelectronics. This work relates to the study of the structures of the PIN photodiodes based on galium nitrides, the Au/Ni/AlGaN / GaN structure. This work is a simulation based on the SILVACO Atlas software to obtain the electrical and optical characteristics of the photodiode junction namely the current-voltage (I-V) characteristic