Etude et optimisation d'une diode laser
Loading...
Date
2021
Authors
Journal Title
Journal ISSN
Volume Title
Publisher
Université d'El Oued
Abstract
"Le but de ce travail basé sur une étude théorique à des propriétés électroniques et optiques de BAlGaN, ainsi nous avons calculé la concentration du bore .pour voir une adaptation entre la couche active et le substrat de GaN.
En fin nous déterminons la longueur d'onde qui émis cette structure et l'indice de réfraction et largeur de puits et le facture de confinement, Et influence des paramètres externes comme la température et la pression sur le gain optique pour obtenir un gain maximal par apport une densité de courant minimal .
"
"الهدف من هذا العمل هو الدراسة النظرية لخصائص الإلكترونية والضوئية لهذه البنية وتحديدها وحساب تركيزالبور حتى يتسنى للطبقة النشطة الانسجام مع حامله .
وكذا تحديد طول الموجة المنبعثة من هذه البنية ودراسة قرينة الانكسار وعرض البئر وكذا الحاجز الكموني وتأثره بالعوامل الخارجة كدرجة الحرارة مثلا او الضغط بغرض الحصول على كميات ضوء كبيرة مقابل تيار العتبة صغير.
"
Description
Systeme de telecommunication مذكرة ماستر تخصص
Keywords
Semi-conducteur III/V - Diode Laser - Alliage - Hétérostructure - Puits quantiques - Épitaxie - Indice de réfraction - Longueur d’onde - Gain - Technology Computer-Aided Design, - أشباه الموصلات III/V - صمام تنائي ليزري - سبيكة - غير متجانسة آبار الكم - النبتة - قرينة الانكسار - الطول الموجي - قياس التضخيم - تكنولوجيا التصميم بمساعدة الحاسوب