Etude d’un transistor bipolaire à grille isolée

Abstract

Plusieurs dispositifs de puissance sont commercialisés couvrant une large gamme de puissance électrique et de tension de claquage. Parmi ces dispositifs de puissance, on trouve : les transistors bipolaires, les thyristors, les DMOS (Double-Diffused Metal Oxide Semiconductor) et les IGBTs (Insulated Gate Bipolar Transistor). Le choix du composant de puissance est lié à l’application de puissance visée. Dans ce travail, une étude des transistors bipolaires et leur principe de fonctionnement ont été présentés. Le principe de fonctionnement d’un transistor à effet de champ et une comparaison avec celui bipolaire ont été décrits dans la deuxième partie. Une étude détaillée sur le transistor bipolaire à grille isolée, son principe de fonctionnement et les procédés technologiques de fabrication de ce composant ont été abordés.Several power devices are commercially covering a wide range of electrical power and breakdown voltage. Among these power devices include: bipolar transistors, thyristors, DMOS (Double Diffused Metal Oxide Semiconductor) and IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor). The choice of the power device is based on power application as indicated. In this work, a study of bipolar transistors and their operating principles have been presented. The principle of operation of field effect transistor and a comparison with that bipolar have been described in the second part. A detailed study of insulated gate bipolar transistor, its operating principle and technological process of fabrication of this device have been discussed.