دراسة الخواص الفيزيائية والكيميائية لأغشية من أكسيد الزنك المحضرة بتقنية كيميائي ة

Abstract

تم في هذه الدراسة تحليل الخصائص البنية والبصرية والكهربائية لأغشي ة ZnO/FTO الرقيقة، المحضّرة بتراكيز متفاوتة تتراوح بين 0.1M و 0.15M و 0.2M. تم تحضير هذه الأغشية من أكسيد الزنك باستخدام تقنية الرش الكيميائي الحراري على ركائز زجاجية مطلية مسبقًا بطبقة FTO ، وذلك عند درجة حرارة 480 درجة مئوية. أظهرت نتائج حيود الأشعة السينية وجود قمم مميزة لأكسيد الزنك في جميع العينات، وقد تم تأكيد هذه النتائج من خلال الصور الملتقطة بواسطة المجهر الإلكتروني الماسح (MEB). كما أظهرت الدراسة أن زيادة تركيز المحلول أدت إلى انخفاض في النفاذية والفاصل الطاقي، مقابل زيادة في الامتصاصية. حيث انخفض الفاصل الطاقي من 3.32 eV عند تركيز 0.1M إلى 3.27 eV عند 0.2M ، مما يشير إلى أن التركيز الأخير هو الأنسب للاستخدام في تطبيقات متنوعة مثل الخلايا الشمسية وغيرهاIn this study, the structural, optical, and electrical properties of ZnO/FTO thin films prepared at different concentrations (0.1M, 0.15M, and 0.2M) were analyzed. These zinc oxide films were deposited using the spray pyrolysis technique onto glass substrates pre-coated with an FTO layer, at a temperature of 480°C. X-ray diffraction (XRD) results showed distinct peaks corresponding to ZnO in all samples, and these findings were confirmed by images obtained using a scanning electron microscope (SEM). The study also revealed that increasing the solution concentration led to a decrease in transmittance and energy band gap, accompanied by an increase in absorbance. The band gap decreased from 3.32 eV at a concentration of 0.1M to 3.27 eV at 0.2M, indicating that the latter concentration is more suitable for various applications such as solar cells and others