ترسييب الأغشية الرقيقة لأكسدة النحاس المحضرة بطريقة الترذيد البلازمي المغناطيسي المستمر

Abstract

تضمن هذا العمل دراسة الخصائص البنيوية والضوئية لأغشية رقيقة من أكسيد النحاس (CuxOy)، حيث تم ترسيب خمسة عينات من أغشية أكسيد النحاس(CuxOy) على ركائز زجاجية تحت درجة حرارة ( °C400) وذلك بواسطة تقنية الترذيذ البلازمي المغناطيسي المستمر، ثم تمت معالجة أربعة عينات منها حراريا عند درجات الحرارة °C (425,450,475,500) لمدة نصف ساعة ، أظهرت نتائج انعراج الأشعة السينية أن الأغشية المحضرة لأكسيد النحاس الأحادي (Cu2O) ذات بنية مكعبة متعددة التبلور وتأخذ الاتجاه التفضيلي (200). أبدت النفاذية الضوئية تتزايد بزيادة درجة الحرارة وقيم الفاصل الطاقي كذلك تتزايد بزيادة درجة الحرارة من (eV2.381) إلى (eV 2.450)، أما قيم طاقة أورباخ تتناقص بزيادة درجة الحرارة من (mev197( إلى (meV124).Copper oxide thin films were prepared on glass slide substrate by DC reactive magnetron sputtering using a copper target with substrate heating at 400 °C. As-deposited CuxOy thin films were then annealed at various temperatures (425,450,475 and 500 ˚C) in air ambient. The effects of annealing treatment on the structural and optical properties of the prepared samples were studied by X-ray diffraction and UV-Vis-NIR spectrophotometer. The results showed that the crystallinity of the Cu2O thin films was significantly improved as an annealing temperature increased. Additionally, the band gap energy values are increased from 2.381 to 2.45 eV and a decrease of Urbach energy from 197 to 124 meV.