أكسيد القصديرالمطعم بالنحاس

Abstract

"تم الإهتمام خلال هذا العمل بدارسة كل من الخصائص البنيوية ، الضوئية و الكهربائية لأغشية أكسيد القصدير النقي (SnO2) والمطعم بالنحاس (Cu) بنسب ( %5 ،4 ،3 ،2 ،1 ، 0) و ذلك إنطلاقا من مادتي كلوريد القصدير (SnCl2) و كلوريد النحاس (CuCl2)، يتم ترسيب المحلول على ركائز زجاجية تحت درجة حرارة 480Cº لمدة 4 دقائق و ذلك من خلال تقنية الرش بالإنحلال الحراري. أظهر إنعراج الأشعة السينية أن لأغشية أكسيد القصدير المطعم بالنحاس بنية متعدد التبلور رباعي الزوايا و تأخذ ثلاث إتجاهات تفضيلية على التوالي (211) ،(110 )و (200) للنقية و المطعمة، و أبدت النفاذية الضوئية تزايدا في المجال من% 80إلى % ، 92أما المقاومة السطحية فقد شهدت إرتفاعا من34.44Ω إلى 658.90Ω عند نسبة التطعيم % 5 و تتغير قيم الفاصل الطاقي وفقا لنسب التطعيم بالنحاس ليأخذ القيم من 3.528eV إلى 3.774eV"In this work, we studied structural, optical and electrical characterization of undoped tin oxide (SnO2) and Copper (Cu) doped (SnO2) thin films, Which have been deposited from tin chloride (SnCl2 ) and Copper chloride (CuCl2) onto glass substrates by spray pyrolysis technique Samples were deposited for 4 minutes at the substrate temperature of 480°C. the doping concentration of (Cu) was varied from (0, 1 , 2, 3, 4 and 5) at % in solution . X-ray diffraction (DRX) has Shawn polycrystalline structure according to Tetragonal Rutile (SnO2) and took three favorable directions respectively (110) , (211) and (200) as preferential orientation for Copper (Cu) doped (SnO2) thin films. The optical transmittance of (Cu:SnO2) films in visible region increases from 80% to 92%. The sheet resistance (Rs) increased from 34.44 Ω to 658.90 Ω at 5% vaccination rate. The optical band gap (Eg) increased from 3.528 eV to 3.774 eV With increasing of the concentration of Copper (Cu) dopants.