Investigation of an InGaN/Si-Based Heterojunction Tandem Solar Cell

dc.contributor.authorSek, Lakhdar
dc.date.accessioned2024-10-27T09:00:05Z
dc.date.available2024-10-27T09:00:05Z
dc.date.issued2024-10-16
dc.descriptionIntervention
dc.description.abstractتستكشف هذه الدراسة تصميم وأداء خلية شمسية ترادفية مكونة من طبقات منإنديوم غاليوم نيتريد (InGaN) والسيليكون (Si). يهدف دمج InGaN مع السيليكون إلى الاستفادة من الطيف الامتصاصي التكميلي لهذين المادتين، مما يعزز كفاءة تحويل الطاقة الشمسية بشكل عام. يعمل InGaN، بفضل فجوة الطاقة القابلة للتعديل، كخلية علوية تلتقط بشكل فعال الفوتونات ذات الطاقة العالية، بينما تمتص خلية السيليكون السفلية الفوتونات المتبقية ذات الطاقة المنخفضة. من خلال عمليات محاكاة وتقييمات تجريبية مفصلة، نثبت تحسنًا كبيرًا في الكفاءة مقارنة بالخلايا الشمسية التقليدية أحادية الوصلة المصنوعة من السيليكون. يشمل التحليل تحسين تركيب InGaN، وسمك الطبقات، وجودة الواجهة البينية لتقليل فقدان إعادة التركيب وزيادة التوافق بين التيارات المتولدة في الخلايا الفرعية. تشير نتائجنا إلى أن تكوين الخلايا الترادفية InGaN/Si يمكن أن يحقق كفاءات تتجاوز 30%، مما يظهر إمكاناتها كمرشح قوي لتقنيات الطاقة الشمسية المتقدمة. تقدم هذه الدراسة رؤى قيمة حول اختيار المواد، وهيكلية الأجهزة، وتقنيات التصنيع اللازمة لتطوير الخلايا الشمسية عالية الكفاءة. Abstract: This study explores the design and performance of a heterojunction tandem solar cell comprising Indium Gallium Nitride (InGaN) and Silicon (Si) layers. The integration of InGaN with Si aims to exploit the complementary absorption spectra of the two materials, thereby enhancing overall solar energy conversion efficiency. InGaN, with its tunable bandgap, serves as the top cell, effectively capturing high-energy photons, while the Si bottom cell absorbs the remaining lower-energy photons. Through detailed simulations and experimental evaluations, we demonstrate significant improvements in efficiency compared to traditional single-junction Si solar cells. The analysis includes optimization of the InGaN composition, thickness, and interface quality to minimize recombination losses and maximize current matching between the sub-cells. Our findings indicate that the InGaN/Si tandem configuration can achieve efficiencies exceeding 30%, showcasing its potential as a viable candidate for next-generation photovoltaic technologies. This research provides valuable insights into material selection, device architecture, and fabrication techniques critical for advancing high-efficiency solar cell development.
dc.identifier.citationSek, Lakhdar.Investigation of an InGaN/Si-Based Heterojunction Tandem Solar Cell . International Conference on: “Energy Systems, Artificial Intelligence, Plasma, Materials and Environment”. ESAIPME. 16-17 October 2024. University Of Ghardaïa. [visited in ../../….]. available from [copy the link here].
dc.identifier.urihttps://dspace.univ-eloued.dz/handle/123456789/35421
dc.language.isoen
dc.publisherUniversity Of Ghardaia
dc.subjectheterojunction
dc.subjecttandem solar cell
dc.subjectIndium Gallium Nitride (InGaN)
dc.subjectSilicon (Si)
dc.subjectوصلة غير متجانسة
dc.subjectخلية شمسية ترادفية
dc.subjectنديوم غاليوم نيتريد (InGaN)
dc.subjectالسيليكون (Si)
dc.titleInvestigation of an InGaN/Si-Based Heterojunction Tandem Solar Cell
dc.typeIntervention

Files

Original bundle

Now showing 1 - 1 of 1
Loading...
Thumbnail Image
Name:
Investigation of an InGaN-Si-Based Heterojunction Tandem Solar Cell .pdf
Size:
1.69 MB
Format:
Adobe Portable Document Format

License bundle

Now showing 1 - 1 of 1
No Thumbnail Available
Name:
license.txt
Size:
1.71 KB
Format:
Item-specific license agreed upon to submission
Description: