Achouri, Faycalmesbahi, el mekkiZeghib, Mohammed lamineHoggui, Ayman2024-01-212024-01-212022https://dspace.univ-eloued.dz/handle/123456789/32095مذكرة ماستر تخصص اتصالاتDurant cette dernière décennie, Les nitrures d’éléments III tels que le GaN, l’InN, l’AIN et BN, sont entrain de connaitre un essor considérable. L’intérêt croissant pour la construction des dispositifs électroniques à Semi-conducteur pour les applications dans les domaines de la micro, de la nano et de l’optoélectronique. Ce travail se rapporte sur l’étude de structure diode laser à base de nitrures de galium, le structure Ni/AlGaAs/ GaAs Ce travail est une simulation basée sur le logiciel SILVACO Atlas pour obtenir .les caractéristiques électriques et optiques de la photodiode jonction à savoir la caractéristique courant-tension (I-V) .During the last decade, nitrides of III elements such as GaN, InN, AIN and BN, are experiencing a considerable boom. The growing interest in the construction of semiconductor electronic devices for applications in the fields of micro, nano and optoelectronics. This work relates to the study of the structures of the diode laser based on galium nitrides, the Ni/AlGaAs/ GaAs structure. This work is a simulation based on the SILVACO Atlas software to obtain the electrical and optical characteristics of the photodiode junction namely the current-voltage (I-V) characteristicfrSemi-conducteurs ; GaN; Photodiode PIN; SILVACO; AlGaNSemiconductors; GaN; PIN photodiode; SILVACO; AlGaNMaster